Новый этап в развитии высокопроизводительной памяти

Компания Samsung Electronics официально подтвердила старт поставок первых образцов своих передовых чипов памяти HBM4E. Новинка представляет собой 12-слойную конфигурацию, демонстрирующую значительный прирост производительности — более чем на 20% по сравнению с предыдущей итерацией HBM4.


В производстве данных компонентов задействованы передовые технологические решения: при создании самой памяти применяется техпроцесс 1c DRAM (шестое поколение 10-нм класса), а логическая базовая пластина изготавливается по 4-нм нормам.


Укрепление позиций на рынке

Стоит отметить, что начало рассылки образцов HBM4E произошло всего спустя три месяца после старта программы по тестированию HBM4. Эти действия являются ключевой частью обновленной стратегии Samsung, направленной на возвращение лидерских позиций в сегменте высокопроизводительной памяти, где в последнее время инициативу перехватили такие игроки, как SK Hynix и Micron.


В настоящее время среди основных потребителей продукции Samsung числятся такие технологические гиганты, как Nvidia, AMD и Google.


Влияние на индустрию и финансовые показатели

Рынок оперативно отреагировал на новости о сотрудничестве: акции компании продемонстрировали рост на 6,5% после заявления стартапа Anthropic, назвавшего Samsung своим стратегическим партнером в сфере разработки полупроводников.


Аналитики рынка подчеркивают важность предстоящей сертификации новых чипов. По их мнению, успешное прохождение квалификации HBM4E способно существенно перекроить распределение долей в отрасли, которое на данный момент выглядит следующим образом:

  • SK Hynix — 57%
  • Samsung — 22%
  • Micron — 21%

Кроме того, эксперты указывают на наличие у Samsung дополнительных перспектив в секторе контрактного производства чипов, что обусловлено высокой загруженностью производственных мощностей компании TSMC.